电力转换是当今几乎所有电子设计的主要特征。理想情况下，将直流电压（例如9V）转换为另一个水平（例如24 V）的过程应尽可能高效，并且损耗应尽可能小。为了满足不同应用的当前和功率密度要求，工程师开发了不同的电路体系结构（即拓扑）。为了转换DC-DC功率，可以使用Buck，Buck-Boost，Half-tya和Full-Stry拓扑。另外，有必要考虑是否需要从输入电压中隔离输出，因此可以将转换方法分为两类，尤其是分离和隔离。提到了本文：对于高电压和高电流箱，例如电动机控制和太阳逆变器，半色和全彩色DC-DC转换技术是主要选择。 01转换了采用的半战略结构的半色转换t移动模式的模式增加或降低直流输入电压。该结构使用两个传输设备，通常是MOSFET或绝缘门两极晶体管（IGBT），以将电压输入转换为变压器（隔离）或直接转换为负载（不隔离）。栅极驱动程序IC负责从IC控制器接收脉冲宽度调制（PWM）信号。该设备加强信号并将其转换为快速打开或关闭MOSFET功率开关（即高侧和低侧）所需的电平，以降低功率损耗并提高转换器的效率。为了选择适合应用的闸门驱动器，应将转换器拓扑，电压，当前等级和传输频率等因素视为全面。选择具有准确且出色的传输属性的闸门驱动器对于达到最佳转换效率至关重要。选择闸门驱动程序时，工程师应考虑一些主要因素。其中一些因素可能与特定有关IC应用程序，例如在太阳能转换应用中，门驱动器可能会遇到各种输入电压和电源要求。高侧电压：根据应用的不同，高侧MOSFET可以承受所有电源电压，为此，栅极驱动器应具有很高的安全性。常见的瞬态免疫力模式（CMTI）：快速转移剂会产生高噪声水平，高侧和低侧MOSFET之间的电压变化可能很高，因此选择具有高度瞬态免疫力的栅极驱动器至关重要。电流峰值驱动器：对于更高的功率设计，栅极驱动器将需要向MOSFET提供高峰值电流，以快速充电并释放栅极电容器。死时间：为了防止由于同时传导而损坏MOSFET，应在半三线电路的高端和低端开关之间设置短暂的死时间，这非常关键。强烈建议选择一个可以配置的门驱动程序随着时间的流逝，提高效率。一些门驾驶员包括死者的默认时间，以防止损坏损坏。 LTC7063是半场门的一个实例，适用于工业，自动和电信系统中各种高压和高电流应用。该设备是一个高压门驱动器，旨在驱动N通道MOSFET，并具有半色调整，输入电源电压高达140V。该IC具有强大的驱动器，可提供通常与高压MOSFET相关的大栅极电容器的快速充电和释放。此外，分解保护功能功能监视开关节点电压并控制驾驶员的输出，以防止MOSFET同时进行。此主要功能可防止当前故障并有助于提高功率效率。 LTC706的高端和低端MOSFET驱动器浮动L功能租金使其成为远程MOSFET控制应用程序的绝佳选择NS以及高电压，高电流转换电容器的转换。 LTC7063安全和保护功能包括热关机，输入欠压和过电压保护电路，以及用于高和低侧MOSFET驱动程序的电压欠压保护电路，可帮助确保任何半触发应用中的长期可靠性和稳定性。为了良好的传热，这些门驱动器被包裹在裸露的垫子中。 02 LTC7063基于远程负载BST和BGVCC-BGRTN Power Bootstrap的Buck Power转换器的基于02 LTC7063的BUCK转换器应用程序，可确保高端和低端驱动程序有效地工作，而无需任何额外的隔离电源电压，从而降低了板上组件的数量和降低板上的成本并降低了成本。控制波形和平均输出电压结果如图2所示。E TG和BG和BG遥控传感器，并添加Risistor可以加速BG/TG的速度。当死亡时间（DT）缩短到地面时，此移动的默认时间为32 ns，而DT引脚漂浮时，死亡时间最多可以扩展到250 ns。可编程功能的死时间为高压应用提供了更稳定的故障保护。为了提高效率，重要的是减少移植损失。高和低侧MOS DriversFet具有1.5Ω引体电阻和0.8Ω下拉电阻，可快速打开或关闭开关，从而防止电流交叉传导，从而提高效率。图3和4显示了开关开关之间的开关和关闭时间和死亡时间。图3。从BG到TG上升图4。从TG移动到BG Rise（FLT）引脚是一个开放式输出，当LTC7063接线温度达到180°C时，将销钉在设备内部拉低。当VCC电源伏特时，该销量也很低年龄低于5.3 V或大于14.6 V.对于图1所示的应用，BGVCC-BGRTN和BST-SW浮动电压以下3.3 V触发了故障状态并拉动FLT引脚。当所有错误是 - 透明时，在100延迟后，将FLT引脚通过外部电阻将其拉高。可列表tc706x系列中的其他1个其他产品，在LTC7063中具有相似的功能。表1。LTC706X系列产品03结论LTC7063是高压N通道半彩色栅极驱动器，属于LTC706X产品系列。专业的双浮陆地建筑为地面偏移和远程装载应用提供了良好的驱动器输出，并具有出色的噪声安全性。自适应分解保护和可编程的死时间功能消除了任何潜在的崩溃电流，而强大的MOSFET驱动程序会激活快速运动，并有助于高压，高电流DC-DC应用，以达到高效率，尽可能降低电气损失。